Периферийные модули / Модули ввода/вывода SIPLUS

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI STANDARD I ДЛЯ ET200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB01-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI STANDARD U ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ ES7134-4FB01-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 4 AI RTD ДЛЯ ET 200S, 2 ВХОДА ТЕРМОСОПРОТИВЛЕНИЯ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4JB51-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВЫВОДА EM 2AO U ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7135-4FB01-0AB0

SIPLUS ET200S МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E 24В-48В РАБ ТЕМП. -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬС. НА ОСНОВЕ 6ES7138-4CA50-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 4DI HF, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BD01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 8 DI =24В ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BF50-0AA0

SIPLUS DP 4DI ET200S (1VE=5ST) -25...+60 ГРАД. ЦЕЛЬС. НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BD01-0AA0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 8 DI ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BF00-0AA0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 8 DO =24В/0,5A ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BF50-0AA0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 8 DO ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BF00-0AA0

SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА 2AI HIGH SPEEDДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB52-0AB2

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА EM 2 RO =24В-AC23 ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 2DO RLY =24-48 В ~230 В/5A, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25 ... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB12-0AB0, 5 ШТ. В УПАКОВКЕ, =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, ШИРИНА 15 ММ, FIRST-UP СИГНАЛ

SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА 2AO U HIGH FEATURE, РАБ. ТЕМПЕРАТУРА -25.. . +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7135-4LB02-0AB0

SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА 2DO HF ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BB31-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AO I HF, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ 6ES7134-4MB02-0AB0. ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ, ШИРИНА 15 ММ, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5МС, +/-20MA; 15 БИТ + ЗНАК, 4 .. 20MA; 15 Б ИТ, РАБОЧИЕ ПРЕДЕЛЫ +/-0.1% СО СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ (ОШИБКА ГРУППЫ)

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI I-4DMU ДЛЯ ET200S, 4Х-ПРОВОДНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB11-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI RTD HF ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7134-4NB51-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 4 AI I 2WIRE ДЛЯ ET 200S, 4 ТОКОВЫХ ВХОДА С ДВУХПРОВОДНЫМ ПОДКЛЮЧЕНИЕМ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GD00-0AB0

SIPLUS DP МОДУЛЬ ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДОВ 2DO HF ДЛЯ ET200S МОДУЛЬ РАСШИРЕНИЯ, РАБ. ТЕМП. -25...+60 ГРАД. ЦЕЛЬС. НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BB01-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4DO STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BD02-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВЫВОДА EM 2AO I STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7135-4GB01-0AB0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4 DO =24В/2А ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BD32-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIPLUS DP PM-E =24…48В/ ~24…230В: МОДУЛЬ КОНТРОЛЯ ПИТАНИЯ ВНЕШНИХ ЦЕПЕЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ГРУППЫ ET 200S С ЭЛЕКТРОННЫМИ МОДУЛЯМИ; С ДИАГНОСТИКОЙ И БУФЕРИЗАЦИЕЙ, ТЕМП. ДИАПАЗОН ОТ -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА БАЗЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4CB11-0AB0

SIPLUS DP. МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E DC 24В, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7138-4CA01-0AA0

SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2AI TC HF, ДИАПАЗОН РАБ. ТЕМП. 0 ... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7134-4NB01-0AB0. 15 MM ШИРИНА, 15 БИТ + ЗНАК С ВНУТР. ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ TEMERATURE COMPENSATION