Сигнальные модули SIPLUS / Сигнальные модули

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 16DQ, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных выходов 16 DQ, =24 В, транзисторные выходы 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 16DQ, рабочая температура -25 . .. +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных выходов 16 DQ, =24 В, транзисторные выходы 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 8DI/8DQ, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 8 DI / 8 DQ, 8 DI =24 В, SINK/SOURCE, 8 DO, транзисторные 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 8DQ, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1BF32-0XB0 . Модуль дискретных выходов SM 1222, 8 DQ, =24 В, транзисторные выходы 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 8DI/8DQ/R рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1PH32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 8 DI / 8 DQ, 8 DI =24 В, SINK/SOURCE, 8 DO, реле 2 А

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 16DI/16DQ рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1BL32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 16 DI / 16 DQ, 16 DI =24 В, SINK/SOURCE, 16 DO, транзисторные 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов SM 1221 16DI, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7221-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных входов SM 1221, 16 DI, =24 В, входы SINK/SOURCE,

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов SM 1221 8DI, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7221-1BF32-0XB0 . Модуль дискретных входов SM 1221, 8 DI, =24 В, входы SINK/SOURCE,

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных входов/выходов SB 1223 DI/DO, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-3AD30-0XB0 . Дискретные входы/выходы 2DI/2DO, =5 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных входов/выходов SB 1223 DI/DO, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-3BD30-0XB0 . Дискретные входы/выходы 2DI/2DO, =24 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 16DI/16DQ RLY, рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1PL32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 16 DI / 16 DQ, 16 DI =24 В, SINK/SOURCE, 16 DO, реле 2 А

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 8DQ RLY, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1HF32-0XB0 . Модуль дискретных выходов, 8 DQ, реле 2A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 16DQ RY рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1HH32-0XB0 . Модуль дискретных выходов, 16 DQ, реле 2A

SIPLUS S7-1200 СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1223 2DI/2DO ДЛЯ ТЯЖЁЛЫХ УСЛОВИЙ ПРИМЕНЕНИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ 6ES7223-0BD30-0XB0. ДИСКРЕТНЫЕ ВХОДЫ/ВЫХОДЫ 2 DI =24 В/2 DO =24 В

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 16DI/16DQ, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1BL32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 16 DI / 16 DQ, 16 DI =24 В, SINK/SOURCE, 16 DO, транзисторные 0,5A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 16DQ RLY, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1HH32-0XB0 . Модуль дискретных выходов SM 1222, 16 DQ, реле 2A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 8DQ, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1BF32-0XB0 . Модуль дискретных выходов 8 DQ, =24 В, транзисторные выходы 0,5A

SIPLUS S7-1200, СИГНАЛЬНАЯ ПЛАТА SB1223 2DI/2DO, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, C С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7223-0BD30-0XB0. ПЛАТА ДИСКРЕТНОГО ВВОДА/ВЫВОДА 2 DI =24 В/2 DO =24 В

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 8DI/8DQ RLY, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1PH32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 8 DI / 8 DQ, 8 DI =24 В, SINK/SOURCE, 8 DO, реле 2 А

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 16DI/16DQ RLY, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1PL32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 16 DI / 16 DQ, 16 DI =24 В, SINK/SOURCE, 16 DO, реле 2 А

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов SM 1221 16DI, со стойким покрытием, на основе 6ES7221-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных входов SM 1221, 16 DI, =24 В, входы SINK/SOURCE,

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов SM 1221 8DI, для тяжёлых условий применения, со стойким покрытием, на основе 6ES7221-1BF32-0XB0 . Модуль дискретных входов SM 1221, 8 DI, =24 В, входы SINK/SOURCE,

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных входов SB 1221 4DI, рабочая температура -25 ... +55°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7221-3AD30-0XB0 . Дискретные входы 4 DI, =5 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных входов SB 1221 4DI, рабочая температура -25 ... +55°C,со стойким покрытием, на основе 6ES7221-3BD30-0XB0 . Дискретные входы 4 DI, =24 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных выходов SB 1222 4DO, рабочая температура -25 ... +55°C,со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1AD30-0XB0 . Дискретные выходы 4 DO, =5 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, сигнальная плата дискретных выходов SB 1222 4DO, рабочая температура -25 ... +55°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1BD30-0XB0 . Дискретные выходы 4 DO, =24 В, 200 кГц

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных выходов SM 1222 8DQ RLY рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7222-1HF32-0XB0 . Модуль дискретных выходов, 8 DQ, реле 2A

SIPLUS S7-1200, модуль дискретных входов/выходов SM 1223 8DI/8DQ рабочая температура -25 ... +70°C, со стойким покрытием, на основе 6ES7223-1BH32-0XB0 . Модуль дискретных входов/выходов SM 1223, 8 DI / 8 DQ, 8 DI =24 В, SINK/SOURCE, 8 DO, транзисторные 0,5A